低温成長GaNキャップ層エッジターミネーションを用いたシリコン基板上の高耐圧AlGaN/GaNショットキーバリアダイオード

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC08158

グループ名: 【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会

発行日: 2008/10/24

タイトル(英語): High-Voltage AlGaN/GaN Schottky Barrier Diodes on Si Substrate with Low-Temperature GaN Cap Layer for Edge Termination

著者名: 鎌田 厚(新日本無線),江川 孝志(名古屋工業大学)

著者名(英語): Atsushi Kamada(New Japan Radio Co.,Ltd.),Takashi Egawa(Nagoya Institute of Technology)

キーワード: AlGaN/GaN|ショットキーバリアダイオード|高耐圧|エッジターミネーション|電流コラプス|低温成長GaN層|AlGaN/GaN|Schottky barrier diode|high breakdown voltage|edge termination|current collapse|low temperature GaN layer

要約(日本語): 低温成長GaN層によるエッジターミネーション構造を用いて，シリコン基板上に高耐圧AlGaN/GaN ショットキー バリア ダイオードを作製した。本エッジターミネーション構造により，耐圧1530V，低逆方向リーク電流（順方向電流に対し5桁低い電流値）特性が得られた。さらに，逆方向200Vパルス印加後での順方向電流低下は5％以下であり，良好な電流コラプス抑制効果を確認した。

要約(英語): AlGaN/GaN Schottky barrier diodes (SBDs) using a low-temperature- (LT-) GaN cap layer to provide edge termination, thus increasing the breakdown voltage and suppressing current collapse, were developed and fabricated on cost-effective, 100-mm-diameter Si

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 899 Kバイト