SiC-VJFET のスイッチング特性およびインバータの製作

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC08159

グループ名: 【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会

発行日: 2008/10/24

タイトル(英語): Switching Characteristics of SiC-VJFET and Manufacture of Inverter

著者名: 吉永 啓佑(九州工業大学),プーンヤケットソムパッタナ (九州工業大学),牧 健太郎(九州工業大学),原田 克彦(九州工業大学),大塚信也 (九州工業大学),匹田 政幸(九州工業大学)

著者名(英語): Keisuke Yosinaga(Kyushu Institute of Technology),Sompathana Pounyakhet(Kyushu Institute of Technology),Kentarou Maki(Kyushu Institute of Technology),Katsuhiko Harada(Kyushu Institute of Technology),Shinya Ohtsuka(Kyushu Institute of Technology),Masayuki Hikita(Kyushu Institute of Technology)

キーワード: SiC-VJFET|スイッチング特性|三相インバータ|電気自動車|SiC-VJFET|Switching characteristics|3-phase inverter|Electric vehicle

要約(日本語): インバータに代表されるパワーエレクトロニクス機器は省エネルギー化のキーテクノロジーであり，さらなる高効率化・高周波動作化・機器の小型化などの要求から，現在のSi デバイスに変わる次世代パワーデバイスとして，ワイドバンドギャップ半導体への期待が高まっている。その中でも実用化が最も近いとされているのがシリコンカーバイド(SiC)デバイスである。本稿ではインダクタンス負荷におけるSiC デバイスのスイッチング特性（立上がり時間，立下り時間，スイッチング損失）を測定し，また，SiC インバータの設計・製作を行った

要約(英語): When super high-speed switching devises such as SiC-VJFET are operated in a power converter, their high dv/dt rate in the rise time and the fall time causes a high-frequency common-mode current .It is necessary to evaluate the EMI(Electromagnetic Interfer

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 596 Kバイト