IGBTオン特性の不完全pinダイオードによるエミュレーション

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC09126

グループ名: 【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会

発行日: 2009/10/29

タイトル(英語): A Simple Emulation of IGBT's Forward Action by a Partial pin Diode

著者名: 高田 育紀(三菱電機)

著者名(英語): Ikunori Takata(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: IGBT|動作モデル|IEGT|CSTBT|pinダイオード|不完全pinダイオード|IGBT|operating model|IEGT|CSTBT|pin diode|partial pin diode

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 965 Kバイト