IGBT縦構造への薄ウエハプロセス技術を用いたLPT(II)コンセプトの有効性

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC09129

グループ名: 【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会

発行日: 2009/10/29

タイトル(英語): Impact of an LPT(II)Concept with Thin Wafer Process Technology for IGBT's Vertical Structure

著者名: 中村 勝光(三菱電機),大宅 大介(三菱電機),斉藤省二 (三菱電機),幡手一成 (三菱電機),岡部 博明(三菱電機)

著者名(英語): Katsumi Nakamura(Mitsubishi Electric Corporation),Daisuke Oya(Mitsubishi Electric Corporation),Shoji Saito(Mitsubishi Electric Corporation),Kazunari Hatade(Mitsubishi Electric Corporation),Hiroaki Okabe(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: Light Punch-Through|LPT（II）|ライフタイム|トレードオフ特性|安全動作領域|破壊メカニズム|Light Punch-Through|LPT(II)|lifetime|trade-off characteristic|safety operating area|destruction failure mechanism

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 801 Kバイト