新しいトリガー構造を有するLDMOS向けESD保護素子の開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC09131

グループ名: 【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会

発行日: 2009/10/30

タイトル(英語): ESD protection structure with novel trigger technique for LDMOS based on BiCD process

著者名: 中村 和敏(東芝),仲 敏行(東芝),松下 憲一(東芝),末代 知子(東芝),安原 紀夫(東芝),中川 明夫(東芝)

著者名(英語): Kazutoshi Nakamura(Toshiba Corporation Semiconductor Company),Toshiyuki Naka(Toshiba Corporation Semiconductor Company),Ken'ichi Matsushita(Toshiba Corporation Semiconductor Company),Tomoko Matsudai(Toshiba Corporation Semiconductor Company),Norio Yasuhara(Toshiba Corporation Semiconductor Company),Akio Nakagawa(Toshiba Corporation Semiconductor Company)

キーワード: ESD|LDMOS|BiCDプロセス|ESD|LDMOS|BiCD process

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 919 Kバイト