シリコンカーバイド基板上シリコンMOSFETの製作と放熱効果の実証

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC09135

グループ名: 【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会

発行日: 2009/10/30

タイトル(英語): Reduction of self-heating effect in Si MOSFETs on directly bonded Si-on-SiC wafer with high heat conductance

著者名: 吉本 昌広(京都工芸繊維大学),篠原 広(京都工芸繊維大学),清水 秀雄(京都工芸繊維大学),木下 博之(京都工芸繊維大学)

著者名(英語): Masahiro Yoshimoto(Kyoto Institute of Technology),Hiroshi Shinohara(Kyoto Institute of Technology),Hideo Shimizu(Kyoto Institute of Technology),Hiroyuki Kinoshita(Kyoto Institute of Technology)

キーワード: シリコンカーバイド|シリコン|MOSFET|自己発熱|高温動作|熱伝導|放熱|silicon carbide|silicon|MOSFET|self heating|high-temperature operation|thermal conductance|heat dissipation

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 954 Kバイト