磁界プローブによるVRMボード表面実装パワーMOSFETの非破壊電流測定法

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC09138

グループ名: 【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会

発行日: 2009/10/30

タイトル(英語): Non-Destructive Current Measurement for Surface Mounted Power MOSFET on VRM board using Magnetic field probing technique

著者名: 池田 佳子(東芝セミコンダクター社),山口 好広(東芝セミコンダクター社),川口 雄介(東芝セミコンダクター社),山口 正一(東芝セミコンダクター社),大村一郎 (現：九州工業大学),土門 知一(東芝ビジネス＆ライフサービス)

著者名(英語): Yoshiko Ikeda(Toshiba Corp. Semiconductor Company),Yoshihiro Yamaguchi(Toshiba Corp. Semiconductor Company),Yusuke Kawaguchi(Toshiba Corp. Semiconductor Company),Masakazu Yamaguchi(Toshiba Corp. Semiconductor Company),Ichiro Omura(Current affiliation:Kyushu Institute of Technology),Tomokazu Domon(Toshiba Business & Life Service Corporation)

キーワード: パワーMOSFET|VRM|磁界プローブ|表面実装|セルフターンオン|非破壊電流計測|power MOSFET|VRM|Magnetic field probe|Surface Mounted|Self-turn-on|current measurement

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 927 Kバイト