Si基板上高出力AlGaN.GaN HFETにおけるVb.Ronの改善

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC09140

グループ名: 【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会

発行日: 2009/10/30

タイトル(英語): Improvement of Vb.Ron for high power AlGaN.GaN HFETs on Si substrates

著者名: 池田 成明(古河電工),賀屋秀介 (古河電工),古川 拓也(古河電工),李 江(古河電工),加藤禎宏 (古河電工)

著者名(英語): Nariaki Ikeda(The Furukawa Electric Co.,Ltd.),Syuusuke Kaya(The Furukawa Electric Co.,Ltd.),Takuya Kokawa(The Furukawa Electric Co.,Ltd.),Jiang Li(The Furukawa Electric Co.,Ltd.),Sadahiro Kato(The Furukawa Electric Co.,Ltd.)

キーワード: 高出力|GaN|HFET|Si基板|Vb.Ron|High-power|GaN|HFET|Si substrates|Vb.Ron

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 578 Kバイト