高耐圧GaN-HEMTの電流コラプス抑制に向けたフィールドプレート構造設計ポイント

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC09141

グループ名: 【D】産業応用部門　半導体電力変換研究会

発行日: 2009/10/30

タイトル(英語): Design Points of Field-Plate Structure for Suppression of Current Collapse Phenomena in High-Voltage GaN-HEMTs

著者名: 齋藤 渉(東芝),垣内 頼人(東芝),新田 智洋(東芝),齋藤 泰伸(東芝),野田 隆夫(東芝),藤本 英俊(東芝),吉岡 啓(東芝),大野 哲也(東芝)

著者名(英語): Wataru Saito(Toshiba Corp.),Yorito Kakiuchi(Toshiba Corp.),Tomohiro Nitta(Toshiba Corp.),Yasunobu Saito(Toshiba Corp.),Takao Noda(Toshiba Corp.),Hidetoshi Fujimoto(Toshiba Corp.),Akira Yoshioka(Toshiba Corp.),Tetsuya Ohno(Toshiba Corp.)

キーワード: GaN-HEMT|高耐圧|パワーデバイス|フィールドプレート|電流コラプス|GaN-HEMT|High-Voltage|Power Device|Field-Plate|Current Collapse Phenomena

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 497 Kバイト