30Vゲート／80Vドレイン耐圧を有する双方向型MOSFETへのチャネルストッパーの適用効果

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC10148

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換研究会

発行日: 2010/11/29

タイトル(英語): A study of a channel stopper effect on 30V-gate/80V-drain bi-directional MOSFETs

著者名: 藤井 宏基(ルネサスエレクトロニクス),小松 慎一(ルネサスエレクトロニクス),佐藤 政春(ルネサスエレクトロニクス),市川 俊彦(ルネサスエレクトロニクス)

著者名(英語): Fujii Hiroki(Renesas Electronics Corporation),Komatsu Shinichi(Renesas Electronics Corporation),Sato Masaharu(Renesas Electronics Corporation),Ichikawa Toshihiko(Renesas Electronics Corporation)

キーワード: チャネルストッパー|双方向型ＭＯＳＦＥＴ|８０Ｖクラス高耐圧ＭＯＳ|リサーフ|電界集中|channel stopper|bi-directional MOSFET|80V-class HV-MOS|resurf|electric field crowding

要約(日本語): 80V系MOSプロセスにて作成される30Vゲートの双方向型MOSFETにマスク工程を追加せずにチャネルストッパーを導入し、効果を検証した結果、SD間パンチスルーを防ぐとともに、最適リサーフ条件を維持したまま局所的な電界集中を緩和できることが実証され、電流－耐圧特性の向上に大きな効果をもたらすことが示された。ソース－ウェル間耐圧の低下をもたらすものの、30Vの必要耐圧は確保されることも確認された。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,559 Kバイト