厚膜SOI基板上に形成した600V-LDMOSの高電圧配線技術

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC10154

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換研究会

発行日: 2010/11/29

タイトル(英語): A Novel 600V-LDMOS with HV-Interconnection for HVIC on Thick SOI

著者名: 山路 将晴(富士電機システムズ),澄田 仁志(富士電機システムズ),上西 顕寛(富士電機システムズ),赤羽 正志(富士電機システムズ)

著者名(英語): Masaharu Yamaji(Fuji Electric Holding Co.Ltd),Hitoshi Sumida(Fuji Electric Holding Co.Ltd),Jonishi Akihiro(Fuji Electric Holding Co.Ltd),Akahane Masashi(Fuji Electric Holding Co.Ltd)

キーワード: 高耐圧ＩＣ|ＳＯＩ|高電圧配線|スイッチング|伝達遅延時間|ホットキャリア|HVIC|SOI|LDMOS|HV-Interconnection|Trench|Switching

要約(日本語): 今回、600V保証の厚膜SOI基板を使用したHVICのHV配線技術を新たに提案し実験試作した。技術的に難しいとされるレベルシフト素子のドレインから高耐圧浮遊領域へのトレンチ分離領域上を跨いだHV配線技術を、レベルシフタ素子の耐圧領域内に独自のフローティングP領域を設けることで、課題を克服した。本稿では試作したレベルシフト素子の電気特性および、プロトタイプ試作したSOI-HVICのスイッチング動作まで確認した。その結果、安定した電気特性と良好なスイッチング伝達特性が得られたので、その詳細を報告する。

要約(英語): A novel LDMOS structure with the HV-interconnection for a 600V-HVIC on thick SOI is proposed.From the proposed structure the high blocking capability of the LDMOS, including both off- and on-breakdown voltages over 600V and high hot carrier instability successfully.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,831 Kバイト