多重ストライプドレイン構造による1200V級HVIC搭載高性能/高耐圧P-Channel MOS

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC10155

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換研究会

発行日: 2010/11/29

タイトル(英語): High performance multi-striped drain HV P-Channel MOS for 1200V HVIC

著者名: 吉野 学(三菱電機),清水 和宏(三菱電機),寺島 知秀(三菱電機)

著者名(英語): Yoshino Manabu(Mitsubishi Electric Corporation),Shimizu Kazuhiro(Mitsubishi Electric Corporation),Terashima Tomohide(Mitsubishi Electric Corporation)

要約(日本語): 第2世代型分割リサーフ構造を適用し高圧分離構造を高耐圧化することで高耐圧N-Channel MOS及びP-Channel MOSを搭載した1200V HVICプロセスを実現した。高耐圧P-Channel MOSは従来のLDD構造では電流能力が低く高耐圧化によりその欠点は顕著になる。そのため新たに多重ストライプドレイン構造を開発しLDD構造と比べて耐圧を低下させること無く電流能力を大幅に向上させた。

原稿種別: 日本語

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