DB (誘電体バリア) -IGBT構造によるキャリア注入の促進

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC10157

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換研究会

発行日: 2010/11/30

タイトル(英語): DB (Dielectric Barrier) -IGBT with Extreme Injection Enhancement

著者名: 武井 学(富士電機システムズ),内藤 達也(富士電機システムズ),河島 朋之(富士電機システムズ),下山 和男(富士電機システムズ),藤掛 伸二(富士電機システムズ),栗林 均(富士電機システムズ),中澤 治雄(富士電機ホールディングス)

著者名(英語): Takei Manabu(Fuji Electric Systems Co.,Ltd.),Naito Tatsuya(Fuji Electric Systems Co.,Ltd.),Kawashima Tomoyuki(Fuji Electric Systems Co.,Ltd.),Shimoyama Kazuo(Fuji Electric Systems Co.,Ltd.),Fujikake Shinji(Fuji Electric Systems Co.,Ltd.),Kuribayashi Hitoshi(Fuji Electric Systems Co.,Ltd.),Nakazawa Haruo(Fuji Electric Holdings Co.,Ltd.)

キーワード: ＩＧＢＴ|ＩＥ効果|誘電体|バリア|トレードオフ|IGBT|injection|dielectric|barrier|trade-off

要約(日本語): 1200V耐圧クラスの誘電体バリアIGBTは新規表面構造によりキャリア注入促進効果を極限まで高められている。Pベース層は薄いエミッタ層内に閉じ込められ、さらに埋め込み酸化膜によってドリフト層と電気的にほとんど分離されている。この新構造は狭いメサ幅かつ広いトレンチ幅を有するトレンチゲート型IGBTと同等の電気特性を示す。サブミクロンプロセスを使わずに誘電体バリアIGBTを製造することが可能である。

要約(英語): A 1200V DB (Dielectric Barrier) IGBT with new surface structure and with extreme injection enhancement effect is proposed. P-base region is confined in the thin emitter layer and is almost separated electrically from drift region by the internal buried oxide layer. The new structure is electrically equivalent to the trench gate IGBT with very narrow mesa width and very wide trench width. The fabrication of the DB-IGBT does not need submicron process technology.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,710 Kバイト