IGBTデバイスの電気特性解析用モデリング技術

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC10159

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換研究会

発行日: 2010/11/30

タイトル(英語): Modeling Technology for Electrical Properties of IGBT Devices

著者名: 池田 晴信(富士電機システムズ),山田 昭治(富士電機システムズ),藤島 直人(富士電機システムズ)

著者名(英語): Ikeda Harunobu(Fuji Electric Systems Co.,Ltd.),Yamada Shoji(Fuji Electric Systems Co.,Ltd.),Fujishima Naoto(Fuji Electric Systems Co.,Ltd.)

キーワード: ＩＧＢＴ|ＦＷＤ|回路シミュレーション|過渡特性|デバイスモデル|IGBT|FWD|circuit simulation|transient characteristic|device model

要約(日本語): IGBTデバイスの電気特性を回路シミュレーションを使用して解析する場合、特に過渡特性の精度の良いIGBTモデルが無いことが問題となる。今回、回路シミュレーション用のIGBT及びFWDモデルを構築し、さらにモジュールのPKG部分もモデル化することにより、精度の良いIGBTデバイスの電気特性シミュレーションを実現した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 757 Kバイト