IGBTのUnclamped Inductive Switching状態時の素子内不均一動作の研究

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC10160

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換研究会

発行日: 2010/11/30

タイトル(英語): Investigations on inhomogeneous operation of IGBTs under Unclamped Inductive Switching condition

著者名: 水野 義人(トヨタ自動車),田上 隆三(トヨタ自動車),中垣 真治(トヨタ自動車),西脇 克彦(トヨタ自動車),味岡 正樹(トヨタ自動車)

著者名(英語): Yoshihito Mizuno(TOYOTA MOTOR CORPORATION),Ryozo Tagami(TOYOTA MOTOR CORPORATION),Shinji Nakagaki(TOYOTA MOTOR CORPORATION),Katsuhiko Nishiwaki(TOYOTA MOTOR CORPORATION),Masaki Ajioka(TOYOTA MOTOR CORPORATION)

キーワード: ＩＧＢＴ|ＵＩＳ|アバランシェ|高電界|大電流|不均一動作|IGBT|UIS|Avalanche|High electric field|High current|Inhomogeneous operation

要約(日本語): 本論文では、IGBTのUIS(Unclamped Inductive Switching)動作時のデバイス挙動をより詳細に捉える為にシミュレーションでの検証を行い、UIS動作時の素子内不均一動作とキャリア分布の関係を明らかにした。また素子内電流分布測定に取り組み、IGBTのUIS動作時の素子内不均一動作を初めて実測により捉えた。

要約(英語): This paper reports the study into inhomogeneous operation of IGBTs under Unclamped Inductive Switching (UIS) conditions. Device simulation clarified that differences in the density of holes causes inhomogeneous current in IGBTs under UIS conditions. The study also actual measured the distribution of current in the test sample of IGBT under UIS conditions for the first time.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 929 Kバイト