シリコンリセスを有するパワーデバイスの新規終端構造の検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC10162

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換研究会

発行日: 2010/11/30

タイトル(英語): A concept of a novel edge termination technique with a silicon recess

著者名: 本田 成人(三菱電機),楢崎 敦司(三菱電機),藤井 亮一(三菱電機),川上 剛史(三菱電機),寺崎 芳明(三菱電機)

著者名(英語): Honda Shigeto(Mitsubishi Electric Corporation),Narazaki Atsushi(Mitsubishi Electric Corporation),Fujii Ryoichi(Mitsubishi Electric Corporation),Kawakami Tsuyoshi(Mitsubishi Electric Corporation),Terasaki Yoshiaki(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: パワーデバイス半導体|終端構造|ＲＥＳＵＲＦ|シリコンリセス|平坦化プロセス|耐圧特性|Power Semiconductor Devices|Edge termination technique|RESURF|Silicon recess|Planarization process|Reverse blocking characteristics

要約(日本語): 新規終端構造技術を検討。この終端構造の特徴はRESURF構造にシリコンリセス領域を設けていることにある。このシリコンリセス下にRESURF領域を形成することで、主接合の曲部への電界を緩和し、耐圧を向上させる。さらに、絶縁膜をシリコンリセス内に埋め込むことにより、平坦化プロセスを実現。この新規終端構造を適用させた75V～1700V級のダイオードを試作し、良好な遮断特性が得られることを確認した。

要約(英語): A novel edge termination technique has been developed. This new edge termination consists of a RESURF (REduced SURface Field) layer and a silicon recess backfilled with a SiO2. The RESURF layer under the silicon recess mitigates the electric field around a main junction curvature, which improves the breakdown voltage. And this structure has a compatibility with a fine-pitch process due to a planarization process. We have succeeded in obtaining sufficient blocking capabilities of the fabricated diodes, the voltage ratings of which are from 75 V to 1700 V.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 727 Kバイト