プロトンドナー型ブロードバッファダイオードの逆回復発振抑制効果

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC10164

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換研究会

発行日: 2010/11/30

タイトル(英語): Inhibiting Effect of Middle Broad Buffer Layer Diode Using Hydrogen-Related Shallow Donor on Reverse Recovery Oscillation

著者名: 水島 智教(富士電機システムズ),根本 道生(富士テクノサーベイ),栗林 秀直(富士電機システムズ),吉村 尚(富士電機システムズ),中澤 治雄(富士電機ホールディングス)

著者名(英語): Tomonori Mizushima(Fuji Electric Systems Co.,Ltd ),Micio Nemoto(Fuji Technosurvey Co.,Ltd ),Hidenao Kuribayashi(Fuji Electric Systems Co.,Ltd ),Takashi Yoshimura(Fuji Electric Systems Co.,Ltd ),Haruo Nakazawa(Fuji Electric Holdings Co.,Ltd )

キーワード: ダイオード|ＦＷＤ|プロトン|ブロードバッファ|逆回復発振|ソフトリカバリー

要約(日本語): パワーデバイスに用いられるダイオードの課題として、スイッチング動作時のキャリア枯渇に起因する発振現象がある。また、ノイズ削減のためにソフトリカバリー性能も同時に求められている。これら両方の要求を満たす素子として、プロトン照射による欠陥層をドナー化したミドルブロードバッファ層を持つ1200V/150Aダイオードを作製した。その結果、電子線照射したダイオードと比較して逆回復損失を同等としたままで発振開始電圧を150V上昇させ、逆回復電流ピークを20%低減させる結果を得た。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 693 Kバイト