40-60V車載向け多段イオン注入法によるNチャネルスーパージャンクションUMOSFETの開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC10169

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換研究会

発行日: 2010/11/30

タイトル(英語): Multiple ion implantations N-Channel Superjunction UMOSFET for 40-60 V Automotive Application

著者名: 村川 浩一(ルネサスエレクトロニクス),猪股 久雄(ルネサスエレクトロニクス),川島 義也(ルネサスエレクトロニクス),三浦 喜直(ルネサスエレクトロニクス)

著者名(英語): Murakawa Koichi(Renesas Electronics Corporation),Inomata Hisao(Renesas Electronics Corporation),Kawashima Yoshiya(Renesas Electronics Corporation),Miura Yoshinao(Renesas Electronics Corporation)

キーワード: スーパージャンクション|ＳＪ|低オン抵抗|多段イオン注入|車載|アバランシェ耐量|superjunction|SJ|Low on-resistance|multiple ion implantations|Automotive Application|avalanche immunity

要約(日本語): 車載向け40-60Vクラスの超低オン抵抗n-チャンネルスーパージャンクションUMOSFET (SJ-UMOS) について報告する。 今回新たに開発した SJ-UMOSでは、高エネルギー多段イオン注入法（注入種はボロン）を用いて埋込p-型領域を形成している。また、イオン注入の横方向拡がりを考慮し、注入マスクの開口幅を最適化したことで更なるセル微細化に成功した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 817 Kバイト