低抵抗4H-SiC単結晶の高品質化

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC10172

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換研究会

発行日: 2010/11/30

タイトル(英語): Improvement of 4H-SiC single crystals with low resistivity

著者名: 児島 一聡((独)産業技術総合研究所),加藤 智久((独)産業技術総合研究所),伊藤 佐千子((独)産業技術総合研究所),小島 淳(株式会社デンソー),廣瀬 富佐雄(株式会社デンソー),木藤 泰男(株式会社デンソー),山内 庄一(株式会社デンソー),西川 恒一(株式会社豊田中央研究所),安達 歩(トヨタ自動車株式会社)

著者名(英語): Kojima Kazutoshi(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Kato Tomohisa(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Ito Sachiko(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Kojima Jun(DENSO CORPORATION Research Laboratories),Hirose Fusao(DENSO CORPORATION Research Laboratories),Kito Yasuo(DENSO CORPORATION Research Laboratories),Yamauchi Shoichi(DENSO CORPORATION Research Laboratories),Nishikawa Koichi(Toyota Central R&D Labs. Inc.),Adachi Ayumu(TOYOTA MOTOR CORPORATION)

キーワード: 炭化珪素|低抵抗|ドーピング|積層欠陥|コドープ|Silicon Carbide|Low resistivity|Doping|Stacking Fault|Co-dope

要約(日本語): SiCは省電力パワーデバイス材料として近年開発が進んでおり、特性オン抵抗が1mΩcm2前後のデバイスも開発されている。このようなデバイスでは全抵抗に占めるSiCバルク基板抵抗の割合が5割程度になり、SiC基板の低抵抗化が望まれている。SiC基板の低抵抗化では転位欠陥増加による結晶性の劣化が問題となる。本研究では比抵抗が従来の半分以下でかつ高品質な4H-SiC単結晶の作製方法についての研究を行った。

要約(英語): Recently, SiC bulk crystal with lower resistivity is required. However, the crystal quality of such crystals was degraded by increasing the crystal defects. In this study, we have investigated the way of improvement of the crystal quality of 4H-SiC single crystals with low resistivity.

原稿種別: 日本語

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