InAs赤外線センサを用いたパワー半導体チップ用高速温度測定技術についての検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC10173

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換研究会

発行日: 2010/11/30

タイトル(英語): High speed temperature measurement with InAs infrared sensor for power semiconductor chips

著者名: 中道 聡(九州工業大学),藤本 宏海(九州工業大学),大村 一郎(九州工業大学)

著者名(英語): Nakamichi Soh(Kyushu Institute of Technology),Fujimoto Hiromi(Kyushu Institute of Technology),Omura Ichiro(Kyushu Institute of Technology)

キーワード: 温度測定|赤外線センサ|ＩｎＡｓ|temperature measurement|infrared sensor|InAs

要約(日本語): IGBTなどパワー半導体は今後益々高い電流密度下の厳しい条件で用いられるようになってくると予想される。その限界を定めている破壊現象の測定技術を開発し、破壊のメカニズムを明らかにする事が今後重要となってくる。本研究ではチップの破壊直前の温度上昇をシングルショットで捉える温度測定技術の検討を行った。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 591 Kバイト