電力変換器への適用を想定したSiCスイッチング素子のスイッチング特性

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC11016

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換研究会

発行日: 2011/01/21

タイトル(英語): Switching caracteristics of SiC switching devices for application of the Power Converter System

著者名: 藤本 和樹(東洋電機製造株式会社),野村 英児(東洋電機製造株式会社),渡部 朗(東洋電機製造株式会社)

著者名(英語): Fujimoto Kazuki(TOYODENKI SEIZO K.K.),Nomura Eiji(TOYODENKI SEIZO K.K.),Watanabe Akira(TOYODENKI SEIZO K.K.)

キーワード: パワー素子|ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ|ＳｉＣ－ＪＦＥＴ|高速スイッチング|スイッチング損失|ゲート駆動回路|Power Device|SiC-MOSFET|SiC-JFET|Fast-Switching|Switching losses|Gate drive circuit

要約(日本語): 近年、Siスイッチング素子の性能が物性限界に近づいている。それに伴いSiCスイッチング素子の開発が進んでいる。電力変換器の設計上、SiCスイッチング素子のスイッチング特性は非常に重要である。本論文では3つのスイッチング素子(SiC-MOSFET,SiC-JFET,Si-MOSFET)のスイッチング特性を比較する。更に設計上重要なパラメータを明らかにする。

要約(英語): Recently, the performance of the Si switching device nears the material limit. So, the development of the SiC switching device is progressing. In the design of the power converter, the switching characteristics of SiC switching device is very important. In this paper, the switching characteristics of three switching devices (SiC-MOSFET, SiC-JFET and Si-MOSFET) are compared. Moreover, this paper shows significant parameters for the design.

原稿種別: 日本語

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