デバイスモデルを用いた並列接続pinダイオードの動作特性　―キャリアの挙動によるリカバリー特性の解析―

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC11017

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換研究会

発行日: 2011/01/21

タイトル(英語): Operating Performance of Parallel-Connected pin Diodes Using a Physics-Based Device Model: Reverse-Recovery Analysis Considering Carrier Dynamics

著者名: 杉本 貴之(東京工業大学),冨永 真志(東京工業大学),漆畑 廣明(東京工業大学),藤田 英明(東京工業大学),赤木 泰文(東京工業大学),堀口 剛司(三菱電機),木ノ内 伸一(三菱電機),大井 健史(三菱電機)

著者名(英語): Sugimoto Takayuki(Tokyo Institute of Technology),Tominaga Shinji(Tokyo Institute of Technology),Urushibata Hiroaki(Tokyo Institute of Technology),Fujita Hideaki(Tokyo Institute of Technology),Akagi Hirofumi(Tokyo Institute of Technology),Horiguchi Takeshi(Mitsubishi Electric Co.),Kinouchi Shinichi(Mitsubishi Electric Co.),Oi Takeshi(Mitsubishi Electric Co.)

キーワード: 物理モデル|ｐｉｎダイオード|並列接続|配線インダクタンス|physics model|pin diode|parallel connection|wiring inductance

要約(日本語): pinダイオードの挙動を正確に解析・予測するため、リカバリー現象と温度特性を考慮したpinダイオードモデルの開発を行っている。本稿では、パワー半導体素子を並列接続して用いる場合を想定し、配線インダクタンスが異なる場合のpinダイオードの並列動作について検討した。その結果、各素子のリカバリー特性が複雑に変化しており、この現象を並列素子間の空乏層が形成されるタイミングの違いにより説明する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,330 Kバイト