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ブスバー配線の寄生インダクタンスを考慮した配線構造設計

ブスバー配線の寄生インダクタンスを考慮した配線構造設計

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カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC11114

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換研究会

発行日: 2011/06/10

タイトル(英語): Design of Wiring Structure including Bus Bar Inductance

著者名: 安東 正登(首都大学東京),和田 圭二(首都大学東京)

著者名(英語): Ando Masato(Tokyo Metropolitan University),Wada Keiji(Tokyo Metropolitan University)

キーワード: ブスバー|寄生インダクタンス|大容量変換器|インダクタンスマップ|Bus bar|Stray inductance|Medium voltage inverter|Inductance map

要約(日本語): 近年,電力変換回路のスイッチング周波数の高周波化が実現され,直流側ブスバー配線の寄生インダクタンスによる影響が問題となるため,その解析や変換器に応じたインダクタンス最適化が必要となる。従来は電磁界解析で行われていたが,本論文では大容量変換器に特化したインダクタンス計算法を検討する。また,その方法を用いたインダクタンスマッピング法を提案し,最適なインダクタンス値に応じた配線構造の設計を行う。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,899 Kバイト

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