パワーダイオードの等価回路モデルに関する一考察～SiC ショットキーバリアダイオードモデルと集中電荷法によるSi PiNダイオードモデル～

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC11147

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換研究会

発行日: 2011/10/27

タイトル(英語): A study on equivalent circuit model of power diode ~SiC schottky barrier diode model and Si PiN diode model based on the lumped-charge modeling approach~

著者名: 舟木 剛(大阪大学),平野 真希子(大阪大学)

著者名(英語): Funaki Tsuyoshi(Osaka University),Hirano Makiko(Osaka University)

要約(日本語): 本研究ではSiCショットキーバリアダイオードや、SiPiNダイオードのターンオフ動作における振る舞いを模擬するための等価回路モデルについて検討する。　SiCショットキーバリアダイオードに対しては、多数キャリアの振る舞いのみを考慮した等価回路モデルを検討する。SiPiNダイオードに対しては、少数キャリアの振る舞いを集中電荷法により考慮した等価回路モデルについて検討する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,825 Kバイト