InAs赤外線センサを用いたパワー半導体チップ用高速温度測定技術についての検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC11160

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換研究会

発行日: 2011/10/28

タイトル(英語): High speed temperature measurement with InAs infrared sensor for power semiconductor chips.

著者名: 藤本 宏海(九州工業大学),中道 聡(九州工業大学),大村 一郎(九州工業大学)

著者名(英語): Fujimoto Hiromi(Kyushu Institute of Technology),Nakamichi Soh(Kyushu Institute of Technology),Omura Ichiro(Kyushu Institute of Technology)

キーワード: 温度測定|赤外線|ＩｎＡｓ|センサ|temperature measurement|infrared |InAs|sensor

要約(日本語): IGBTをはじめとするパワー半導体は薄型化による熱容量の低下に伴い、チップ内の温度上昇が著しく速くなり破壊に至るまでの時間が短くなってきている。破壊時のチップ内部ではマイクロ秒レベルで数百℃の温度上昇が起こっているとされ、実験的な測定での現象の確認が必要とされている。そこで、InAs赤外線センサを利用したチップと非接触で時間変化や温度分布を計測することができる高速温度測定方法の検討を行った。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,227 Kバイト