高耐圧MOSFETのスイッチング損失－ノイズトレードオフ改善

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC11161

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換研究会

発行日: 2011/10/28

タイトル(英語): Improvement of Switching Trade-off Characteristics between Noise and Loss in High Voltage MOSFETs

著者名: 齋藤 渉(東芝),相田 聡(東芝),上月 繁雄(東芝),泉沢 優(東芝)

著者名(英語): Saito Wataru(Toshiba Corp.),Aida Satoshi(Toshiba Corp.),Koduki Shigeo(Toshiba Corp.),Izumisawa Masaru(Toshiba Corp.)

キーワード: 高耐圧ＭＯＳＦＥＴ|スイッチング|ノイズ|High-voltage MOSFET|Switching|Noise

要約(日本語): 高耐圧パワーMOSFETにおけるスイッチングノイズと損失のトレードオフを改善する新しいMOSゲート構造を提案し、試作により検証した。ゲート下に低濃度のダミーベース層を形成することでCgd-Vds特性を変調する。これにより、高速スイッチング動作をさせながら、ターンオフdV/dtを抑制し、低損失と低ノイズを両立させる。試作した素子を用いてフライバックコンバータを動作させ、トレードオフの改善を確認した。

要約(英語): A new MOS-gate structure was proposed and demonstrated to improve the switching trade-off characteristics between noise and loss in high-voltage MOSFETs. The lightly p-doped dummy base layer under the gate electrode modulates Cgd-Vds curve due to the depletion under high applied voltage and the turn-off dV/dt can be suppressed even with high-speed switching.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 958 Kバイト