高速型２．５μｍ　ＰＴＯｘ－ＴＭＯＳの開発とＯＮＯゲート絶縁膜の高電界特性

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC11164

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換研究会

発行日: 2011/10/28

タイトル(英語): Development of high-speed PTOx-TMOS (Partially Thick Oxide - Trench gate MOSFET) having 2.5micron cell design, and electrical characteristics of ONO gate insulation film under high electric field

著者名: 竹谷 英一(デンソー),荒川 隆史(デンソー),青木 孝明(デンソー),荻野 誠裕(デンソー)

著者名(英語): Taketani Eiichi(DENSO CORPORATION,Kota Plant),Arakawa Takafumi(DENSO CORPORATION,Kota Plant),Aoki Takaaki(DENSO CORPORATION,Kota Plant),Ogino Masahiro(DENSO CORPORATION,Kota Plant)

キーワード: パワーＭＯＳＦＥＴ|トレンチゲート|ＯＮＯゲート絶縁膜|部分厚膜ゲート|高電界特性|ホットキャリア注入|Power MOSFET|Trench gate|ONO gate insulator|Partially thick gate insulator|high-field characteristics|hot carrier injection

要約(日本語): ゲート絶縁膜にONO膜を用い，トレンチ底部のゲート絶縁膜を厚くした構造を備えたPTOx-TMOS (Partially Thick Oxide - Trench Gate MOSFET) のセルピッチを2.5μmに微細化し，50V系パワーMOSFETで最も小さいRon・Qgdを達成した。ONOゲート絶縁膜の特性は信頼性を決める重要な要因であり，我々は ONOゲート絶縁膜の高電界特性について実験と理論の両面から考察した。

要約(英語): We have developed 2.5micron cell PTOx-TMOS (Partially Thick Oxide - Trench Gate MOSFET) with ONO gate insulation film characterized by the lowest Ron・Qgd among reported power MOSFETs. Since the electric behavior of the film is strongly related to reliability issues, we have studied experimentally & theoretically the characteristic of the film under high electric field.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 957 Kバイト