７５０Ｖ　４．５Ａ　低オン電圧キャリア蓄積型Ｅ２ＬＩＧＢＴ（ＣＳ－Ｅ２ＬＩＧＢＴ）

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC11168

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換研究会

発行日: 2011/10/28

タイトル(英語): 750V 4.5A Low On-state Voltage Carrier-Storage E2LIGBT (CS-E2LIGBT)

著者名: 高橋 茂樹(デンソー),中川 明夫(中川コンサルティング事務所),芦田 洋一(デンソー),白木 聡(デンソー),戸倉 規仁(デンソー)

著者名(英語): TAKAHASHI SHIGEKI(DENSO CORPORATION,Kota Plant),NAKAGAWA AKIO(Nakagawa Consulting Office),ASHIDA YOUICHI(DENSO CORPORATION,Kota Plant),SHIRAKI SATOSHI(DENSO CORPORATION,Kota Plant),TOKURA NORIHITO(DENSO CORPORATION,Kota Plant)

キーワード: 横型ＩＧＢＴ|キャリア蓄積|排出促進|界面Ｎ拡散層|ＳＯＩ|オン電圧|LIGBT|carrier storage|extraction enhanced|interface n-diffusion-layer|SOI|on-state voltage

要約(日本語): エミッタ領域にキャリア蓄積領域(Carrier Storage region)を備えたSOI型CS-E2LIGBTを開発し，SOI型では最も高耐圧(750V)，大電流(4.5A)，高速ターンオフ(49ns at 450V-3.6A)，そして低オン電圧(2.35V at 120A/cm2)を達成した。コレクタには新しいキャリア排出促進(Extraction Enhanced)構造を採用した。さらに，デバイスシミュレーションにより，キャリア蓄積領域の効果を定量的に解析した。

要約(英語): We have successfully developed a high performance SOI Carrier-Storage E2LIGBT (CS-E2LIGBT) characterized by highest blocking voltage (750V), highest current (4.5A), shortest fall-time (49ns at 450V-3.6A), and lowest on-state voltage (2.35V at 120A/cm2). Newly developed Extraction-Enhanced technology is applied to the collector structure. Moreover, the effect of CS-region was analyzed quantitatively by device simulation.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,226 Kバイト