ゼロ電流スイッチングにおけるIGBTの低損失化

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC11169

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換研究会

発行日: 2011/10/28

タイトル(英語): Reduction of power dissipation in IGBT under the zero current switching operation

著者名: 下條 亮平(東芝),小林 政和(東芝),野崎 秀樹(東芝),前田 陽介(東芝),脇山 成一郎(東芝),梅川 真一(東芝)

著者名(英語): Gejo Ryohei(Toshiba corporation),Kobayashi Masakazu(Toshiba corporation),Nozaki Hideki(Toshiba corporation),Maeda Yosuke(Toshiba corporation),Wakiyama Seiichiro(Toshiba corporation),Umekawa Shinichi(Toshiba corporation)

キーワード: ＩＧＢＴ|ゼロ電流スイッチング|パワーデバイス|低損失化|IGBT|Zero Current Switching|Power Device|Reduction of Power dissipation

要約(日本語): ゼロ電流スイッチング（ZCS）におけるIGBTの低損失化へ向けて、シミュレーションによりスイッチングメカニズムの明確化し、試作により検証した。ターンオン損失低減には電子、正孔の注入促進、ターンオフ損失低減には残留キャリアの消滅促進が重要である。前記メカニズムに基づく試作評価の結果、ZCSで発生するIGBTの損失を30％以上低減することに成功した。

要約(英語): This paper clarifies the operation mechanism of IGBT under zero current switching (ZCS) to reduce power dissipation. The acceleration of carrier injection and the enhancement of residual carrier recombination are important for turn-on and turn-off loss reductions, respectively. The fabricated device considered by above mechanisms achieved more than 30% reduction of power dissipation under ZCS operation.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,054 Kバイト