フローティングp層をゲートから分離した低損失、低ノイズ、高信頼な1.7kVトレンチIGBT

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC11170

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換研究会

発行日: 2011/10/28

タイトル(英語): 1.7kV Trench IGBT with Deep and Separate Floating p-Layer Designed for Low Loss, Low EMI Noise and High Reliability

著者名: 渡邉 聡(日立製作所),森 睦宏(日立製作所),新井 大夏(日立製作所),石橋 亨介(日立製作所),豊田 靖(日立製作所),織田 哲男(日立製作所),原田 卓(日立製作所),齊藤 克明(日立製作所)

著者名(英語): Watanabe So(Hitachi,Ltd.),Mori Mutsuhiro(Hitachi,Ltd.),Arai Taiga(Hitachi,Ltd.),Ishibashi Kohsuke(Hitachi,Ltd.),Toyoda Yasushi(Hitachi,Ltd.),Oda Tetsuo(Hitachi,Ltd.),Harada Takashi(Hitachi,Ltd.),Saito Katsuaki(Hitachi,Ltd.)

キーワード: ＩＧＢＴ|１７００Ｖ|フローティングｐ|ｄＶ／ｄｔ|ＥＭＩ|ターンオン|IGBT|1700V|floating p|dV/dt|EMI|turn on

要約(日本語): 低損失、低EMIノイズ、高信頼な1.7kV IGBTを開発した。ダイオードのリカバリーdV/dtを低減するため、トレンチ間に設けたフローティングp層をゲートから離し、ターンオン時のVGEの跳ね上りを抑制した。同時に深く形成することでトレンチ下の電界上昇を防ぎ、耐圧2250Vを確保した。本構造によりオン電圧2.3V、dV/dt=15kV/sにおいてEon+Eoffが47%低減することを実証した。

要約(英語): A 1.7kV IGBT with low loss, low EMI noise, and high reliability has been developed. Separating floating p-layers from the trench gates suppresses VGE overshoot, which results in recovery dVAK/dt reduction. The deep floating p-layers weaken electric field under the trenches, which results in breakdown voltage of 2250V. The Eon+Eoff of the proposed structure can be reduced by 47%, maintaining low VCE(sat) of 2.3V.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 4,327 Kバイト