極薄ウェハ技術を用いた600V級LPT構造CSTBTTM

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC11173

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換研究会

発行日: 2011/10/28

タイトル(英語): 600V LPT-CSTBTTM on Advanced Thin Wafer Technology

著者名: 原口 友樹(三菱電機),本田 成人(三菱電機),中田 和成(三菱電機),楢崎 敦司(三菱電機),寺崎 芳明(三菱電機)

著者名(英語): Haraguchi Yuki(Mitsubishi Electric Corporation),Honda Shigeto(Mitsubishi Electric Corporation),Nakata Kazunari(Mitsubishi Electric Corporation),Narazaki Atsushi(Mitsubishi Electric Corporation),Terasaki Yoshiaki(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: 極薄ウェハ技術|ＬＰＴ|電気特性|応力|分布|thin wafer technology|Light Punch Through|electrical characteristic|stress|distribution

要約(日本語): 極薄ウェハ技術を用いた600V級Light Punch Through (LPT)構造CSTBTの電気特性結果および、ダイボンド時の応力が極薄デバイスの電気特性に与える影響を調査した結果を報告する。600V級LPT構造CSTBTは、従来のPunch Through (PT)構造品より電気特性が改善された。また、特殊チップを用いた評価からダイボンド時の応力による電気特性変動はチップ内で分布を持つことが判った。

要約(英語): Using an advanced thin wafer technology, we fabricated a 600V class CSTBTTM with a Light Punch Through (LPT) structure. Its electrical characteristics are superior to the conventional Punch Through type (PT) one. We confirmed the electrical characteristics’ distribution by the special sub-chip.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,040 Kバイト