EV/HV電気回路シミュレーション用HiSIM-IGBTモデル開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC11174

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換研究会

発行日: 2011/10/28

タイトル(英語): Development of the HiSIM-IGBT model for EV/HV electric circuit simulation

著者名: 雫 奏(トヨタテクニカルディベロップメント),植田 賢志(トヨタ自動車),広瀬 益久(トヨタ自動車),三宅 正堯(広島大学),Hans Juergen Mattausch (広島大学),Uwe Feldmann(広島大学)

著者名(英語): Shizuku Kanade(TOYOTA TECHNICAL DEVELOPMENT CORPORATION),Ueta Takashi(TOYOTA MOTOR CORPORATION),Hirose Masuhisa(TOYOTA MOTOR CORPORATION),Miyake Masataka(HIROSHIMA UNIVERSITY),Mattausch Hans Juergen (HIROSHIMA UNIVERSITY),Feldmann Uwe(HIROSHIMA UNIVERSITY)

キーワード: ＩＧＢＴ|ＨｉＳＩＭ|コンパクトモデル|物理式|表面ポテンシャル|IGBT|HiSIM|compact model|physical formula|surface potential

要約(日本語): EV/HV用インバータ設計に活用できる、回路シミュレーション用IGBTモデル（HiSIM-IGBTモデル）を開発した。本モデルはIGBT内部のキャリア動作現象を物理式で表現する。従来の経験式を使ったモデルは、検証条件数と同数のフィッティング作業が必要だが、HiSIM-IGBTモデルは検証条件数に関係無く、フィッティング作業は1度で完了する。その為、多様な検証条件に対し、短期間でモデルが提供できる。

要約(英語): The IGBT model for use in circuit simulation toward the EV/HV inverter design has developed (called the HiSIM-IGBT). It expressed an inside carrier behavior of an IGBT using physical formulas so that we can quickly supply the models which express the various conditions, regardless of number of test conditions.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 854 Kバイト