高温で広い安全動作領域を有するCSTBTTM(III)の開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC11175

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換研究会

発行日: 2011/10/28

タイトル(英語): CSTBTTM(III) having wide SOA under high temperature condition

著者名: 深田 祐介(三菱電機),鈴木 健司(三菱電機),高橋 徹雄(三菱電機),原田 辰雄(三菱電機),藤井 秀紀(三菱電機),石澤 慎一(三菱電機),山下 潤一(三菱電機),Donlon John F (Powerex),寺島 知秀(三菱電機)

著者名(英語): Fukada Yusuke(Mitsubishi Electric Corporation),Suzuki Kenji(Mitsubishi Electric Corporation),Takahashi Tetsuo(Mitsubishi Electric Corporation),Harada Tatsuo(Mitsubishi Electric Corporation),Fujii Hidenori(Mitsubishi Electric Corporation),Ishizawa Shinichi(Mitsubishi Electric Corporation),Yamashita Junichi(Mitsubishi Electric Corporation),Donlon John F (Powerex,Inc),Terashima Tomohide(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: ＩＧＢＴ|安全動作領域|高温動作|IGBT|SOA|high temperature operation

要約(日本語): 近年，パワーデバイスには世界的な環境保全の流れから，パワーデバイスにはより低損失で，かつ，高密度で高温で動作する厳しい特性が求められている。 本論文ではCSTBTTM(III)の高温での安全動作領域の解析について報告する。 高温での安全動作領域拡大には寄生のNPNトランジスタの動作抑制が重要であり，最適化したCSTBTTM(III)では200℃で熱暴走せず安全動作可能であることを確認した。

要約(英語): This paper presents high temperature performance of CSTBTTM (III) and its main parameters. The key for high temperature operation is suppressing the parasitic NPN transistor action. N+ emitter width, P+ diffusion layer depth and gate oxide thickness are main parameters for suppressing the parasitic action. The optimized 1200V CSTBTTM(III) succeeded in 200°C operation without any thermal runaway or turn-off failure.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 892 Kバイト