デバイスモデルを用いたインバータ動作時の過渡熱解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC12016

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換研究会

発行日: 2012/01/27

タイトル(英語): Dynamic electrothermal simulation using a device model for a PWM inverter

著者名: 岩田 恭彰(東京工業大学),冨永 真志(東京工業大学),西村 正(東京工業大学),藤田 英明(東京工業大学),赤木 泰文(東京工業大学),堀口 剛司(三菱電機),木ノ内 伸一(三菱電機),大井 健史(三菱電機)

著者名(英語): Yasuaki Iwata(Tokyo Institute of Technology),Shinji Tominaga(Tokyo Institute of Technology),Tadashi Nishimura(Tokyo Institute of Technology),Hideaki Fujita(Tokyo Institute of Technology),Hirohumi Akagi(Tokyo Institute of Technology),Takeshi Horiguchi(Mitsubishi Electric Corp.),Shin-ichi Kinoushi(Mitsubishi Electric Corp.),Takeshi Oi(Mitsubishi Electric Corp.)

キーワード: パワーデバイスモデル|電気・熱連成解析|ＭＯＳＦＥＴ|ｐｉｎ　ダイオード|並列接続|power device model|electrothermal simulation|MOSFET|pin diode|parallel connection

要約(日本語): 電力変換器におけるパワー半導体素子の接合温度は，その信頼性に大きな影響を与えることから，冷却系設計に際し重要な指標となる。インバータ動作時におけるパワー半導体素子の接合温度を正確に解析・予測するために，高精度なデバイスモデルを用いた電気・熱連成解析により評価した。本稿では，特性が異なるデバイスが並列接続されている場合を想定し，電流アンバランスが接合温度に与える影響を示す。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 897 Kバイト