SiパワーMOSFETを用いた高周波スイッチング実現に関する実験的一検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC12017

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換研究会

発行日: 2012/01/27

タイトル(英語): A experimental study on realization of high frequency switching by using Si power MOSFET

著者名: 文野 貴司(京都大学),佐藤 宣夫(京都大学),宅野 嗣大(京都大学),引原 隆士(京都大学)

著者名(英語): Takashi Fumino(Kyoto University),Nobuo Satoh(Kyoto University),Tsuguhiro Takuno(Kyoto University),Takashi Hikihara(Kyoto University)

キーワード: ＳｉパワーＭＯＳＦＥＴ|高周波スイッチング|絶縁ゲートドライブ|寄生インピーダンス|スイッチング損失|Si power MOSFET|high frequency switching|isolated gate drive|parasitic impedance|switching loss

要約(日本語): 高周波スイッチング素子としてSiパワーMOSFETを用いて, 1MHzあるいはそれ以上の周波数での高速スイッ_x000D_ チング特性を評価する. 50W出力を想定した実験回路を製作, その際には回路応用を想定して絶縁ゲートドライバ_x000D_ を利用し, 寄生インピーダンスの抑制のために短配線化を図っている. 本報告では, 各電圧/電流波形の観測およびその解析から, 素子や配線の寄生インピーダンスの影響と素子駆動に伴う損失を検討する.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 993 Kバイト