高耐熱コンタクトプローブを用いたSiCショットキーバリアダイオードの電流-電圧特性評価用試験装置開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC12019

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換研究会

発行日: 2012/01/27

タイトル(英語): Development of Evaluation Apparatus for Current-Voltage Characteristics of SiC Shottky Barrier Diode Using Contact Probe with High Heat Resistance

著者名: 河野 大樹(九州工業大学),大村 一郎(九州工業大学),小迫 雅裕(九州工業大学),匹田 政幸(九州工業大学),Lebey Thierry(ポールサバティエ大学)

著者名(英語): Hiroki Kawano(Kyusyu Institute of Technology),Ichiro Omura(Kyusyu Institute of Technology),Masahiro Kozako(Kyusyu Institute of Technology),Masayuki Hikita(Kyusyu Institute of Technology),Thierry Lebey( Paul Sabatier University)

キーワード: 高温|高耐圧|パッケージ|ＳｉＣ－ＳＢＤ|コンタクトプローブ|評価試験装置|High temperature|High voltage|Package|SiC-SBD|Contact probe|Evaluatiton apparatus

要約(日本語): 著者らはガスとセラミック基板の複合絶縁による新しいパワーデバイスモジュールのパッケージ技術を提案し，高温高耐圧パワーデバイス用評価試験装置の開発を目指している。本報では，コンタクトプローブを用いた室温～400℃まで測定可能なシステムの構築を行い，SiC-SBD(Schottky Barrier Diode)のI-V特性における温度依存性について評価したので報告する。

要約(英語): We have developed of evaluation apparatus for power electronics devices under high temperature up to 600℃. We built the apparatus using Contact probe with high heat resistance, and evaluated temperature dependence of current I versus voltage V characteristics of SiC-SBD (Schottky barrier diode) up to 400℃.

原稿種別: 日本語

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