パワーMOSFETの信頼性評価を目的とした非破壊試験回路の検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC12020

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換研究会

発行日: 2012/01/27

タイトル(英語): Design and Implementation of Non-Destructive Circuit for Si- and SiC-MOSFETs

著者名: 中川 徹也(首都大学東京),和田 圭二(首都大学東京),西澤 伸一(産業技術総合研究所),大橋 弘通(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Nakagawa Tetsuya(Tokyo Metropolitan University),Wada Keiji(Tokyo Metropolitan University),Nisizawa Shin-ichi(Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Ohasi Hiromichi(Advanced Industrial Science and Technology (AIST))

キーワード: ＭＯＳＦＥＴ|信頼性|非破壊試験|装置構造|MOSFET|reliability|Non-Destructive Experiment|setup structure

要約(日本語): 電力変換回路の高パワー密度化が進む一方，デバイスが受ける熱や電圧電流のストレスが増大し回路の信頼性に影響を与えている。そのためパワーデバイスの信頼性が注目され，盛んに議論がされている。さらにSiC やGaN 等の研究開発が進んでおり，パワーデバイスの評価装置の重要性はより一層高まると思われる。本報告では非破壊試験にて信頼性評価を行う装置を検討し，実際に600 V定格のパワーMOSFETについて非破壊試験を行ったので報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,322 Kバイト