高速スイッチング動作を実現するノーマリオン形GaN HEMT

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC12084, MD12022

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換/【D】産業応用部門 モータドライブ合同研究会

発行日: 2012/06/08

タイトル(英語): A High-Speed Switching Normally-on GaN HEMT

著者名: 石橋 卓治(山口大学),豊田 玄紀(山口大学),岡本 昌幸(宇部工業高等専門学校),平木 英治(山口大学),田中 俊彦(山口大学),橋詰 保(北海道大学),加地 徹(豊田中央研究所)

著者名(英語): Ishibashi Takaharu(Yamaguchi University),Toyoda Genki(Yamaguchi University),Okamoto Masayuki( Ube National College of Technology),Hiraki Eiji(Yamaguchi University),Tanaka Toshihiko(Yamaguchi University),Hashizume Tamotsu(Hokkaido University),Kachi Tetsu(TOYOTA CENTRAL R&D LABS)

キーワード: ノーマリオン|ＧａＮ　ＨＥＭＴ|ゲートドライブ回路|高速スイッチング動作|電流コラプス現象|Normally-on|GaN HEMT|Gate-drive circuit|High-speed switching|Current collapse phenomena

要約(日本語): 省エネルギー化の観点から高耐圧かつ低損失・高速動作可能なパワーデバイスが求められるが，Si(Silicon)デバイスではこうした要求の実現は困難になっている。そこで，GaN(Gallium Nitride)を材料とするデバイスに注目が集まっている。本論文では，著者らが新たに開発したGaN HEMTの特性を示し，ゲートドライブ回路を提案する。実験により，GaN HEMTが高速スイッチング動作可能であることを明らかにする。さらに，GaN HEMTをインバータに適用し実用性を明らかにする。

要約(英語): This paper introduces a newly-developed high-speed GaN HEMT and its applications. A gate-drive circuit for the developed GaN HEMT is proposed. The GaN HEMT with the proposed gate-drive circuit is applied to an inverter circuit. Experimental results demonstrate that the developed GaN HEMT is applicable to the actual power electronic converters.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,366 Kバイト