物理モデルを用いた並列駆動IGBT連続動作時の接合温度解析－並列素子間の配線インダクタンス差の影響－

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC13024

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換研究会

発行日: 2013/01/25

タイトル(英語): Estimation of Temperature of IGBTs Connected in Parallel by Using Physics-based Model - The Influence of Wiring Inductances Between IGBTs -

著者名: 塚本 剛平(東京工業大学),冨永 真志(東京工業大学),西村 正(東京工業大学),藤田 英明(東京工業大学),赤木 泰文(東京工業大学),堀口 剛司(三菱電機),木ノ内 伸一(三菱電機),大井 健史(三菱電機)

著者名(英語): Tsukamoto Kohei(Tokyo Institute of Technology),Tominaga Shinji(Tokyo Institute of Technology),Nishimura Tadashi(Tokyo Institute of Technology),Fujita Hideaki(Tokyo Institute of Technology),Akagi Hirofumi(Tokyo Institute of Technology),Horiguchi Takeshi(Mi

キーワード: 接合温度|物理モデル|電気・熱連成解析|ＩＧＢＴ|並列接続|配線インダクタンス|junction temperature|physics-based model|electro-thermal simulation|IGBT|parallel connection|wiring inductances

要約(日本語): 電力変換器の高密度実装化に伴い，設計段階におけるパワー半導体素子の接合温度の正確な予測が重要になっている。並列接続されたパワー半導体素子では，様々な要因から素子間に温度差が生じうる。今回は、配線インダクタンスが異なる場合に関して，実測とIGBT物理モデルを用いた解析によるスイッチング波形の比較を行い，モデルの妥当性を検証した。本モデルを用いたインバータ動作時におけるIGBTの接合温度解析結果について述べる。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,000 Kバイト