SiC-MOSFETとIGBTを用いたキャリア周波数2.5kHzのPWMインバータ励磁下の電磁鋼板における鉄損特性の考察

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC13028

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換研究会

発行日: 2013/01/25

タイトル(英語): Study for SiC-MOSFET and IGBT of iron loss on electrical steel under PWM fed with carrier frequency at 2.5 kHz

著者名: 萱森 大介(豊田工業大学),藤崎 敬介(豊田工業大学)

著者名(英語): Daisuke Kayamori(Toyota technological institute),Keisuke Fujisaki(Toyota technological institute)

キーワード: 電力用半導体|鉄損|キャリア周波数|オン電圧|電磁鋼板|変調率|power semiconductor|iron loss|carrier frequency|on-voltage|electrical steel|modulation factor

要約(日本語): インバータのスイッチング素子として用いられる電力用半導体が鉄損に与える影響を明らかにする為，IGBTとSiC-MOSFETをスイッチング素子に用いた２つの単相PWMインバータをキャリア周波数2.5kHzのインバータ励磁下で比較した．スイッチング素子のオン電圧の影響によりB-H曲線のマイナーループはSiC-MOSFETの方が小さいことが確認されたが、鉄損に明確な優位性が見られなかった。

要約(英語): In this paper, the two kinds of inverters such as IGBT and SiC-MOSFET are compared to clarify the influence of their on-voltage for iron loss under PWM fed with carrier frequency at 2.5. A small on-voltage of SiC-MOSFET makes minor loops small, although both devices have similar iron loss.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,398 Kバイト