スイッチトキャパシタ形DC/DCコンバータにおけるGaN-FETとSi-IGBTの損失比較と最適設計に関する一考察

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC13080,MD13022

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換/【D】産業応用部門 モータドライブ合同研究会

発行日: 2013/06/15

タイトル(英語): An Investigation of Optimized Design for Switched-Capacitor DC/DC-Converter Using GaN-FET and Si-IGBT

著者名: 加藤 康司(サンケン電気),永野 史弥(サンケン電気),品田 良(サンケン電気),伊東 洋一(サンケン電気)

著者名(英語): Koji Kato(Sanken Electric Co., Ltd),Fumiya Nagano(Sanken Electric Co., Ltd),Ryo Shinada(Sanken Electric Co., Ltd),Youichi Ito(Sanken Electric Co., Ltd)

要約(日本語): 高効率なDC-DC変換方式として，スイッチトキャパシタコンバータ方式に注目が集まっている。また，SCC方式では，電圧レベル数が3レベルになるため，昇圧リアクトルが小型化でき，昇圧チョッパと比較し小型化が可能である。_x000D_ 本稿において，SCC方式DC-DCコンバータにおけるGaNFETとSi-IGBTの損失比較を行い，最適設計について知見を得たので報告する。_x000D_

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 814 Kバイト