SiC-MOSFETのゲート駆動特性のモデル化に向けた一検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC13081,MD13023

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換/【D】産業応用部門 モータドライブ合同研究会

発行日: 2013/06/15

タイトル(英語): A study for modeling of SiC-MOSFET gate drive properties

著者名: 森本 駿介(大阪大学),舟木 剛(大阪大学)

著者名(英語): Shunsuke Morimoto(Osaka university),Tsuyoshi Funaki(Osaka university)

キーワード: ＳｉＣ|ＭＯＳＦＥＴ|ゲート駆動|等価回路|寄生ゲート抵抗|パラメータ抽出|SiC|MOSFET|gate drive|equivalent circuit|parasitic gate resistance|parameter extraction

要約(日本語): 従来のIGBTに比べて,SiC-MOSFETは高速なスイッチング動作が可能である。その動作を予測する際,デバイス内の寄生ゲート抵抗成分の影響により, 実際にゲート電極に印加される電圧とゲート端子に現れる電圧は異なり,所望の動作が得られないことがある。そこで本研究では,SiC-MOSFETの高速スイッチングに影響を与える寄生ゲート抵抗成分の抽出方法について検討し,ゲート駆動特性に与える影響の解析・評価を行う。

要約(英語): SiC-MOSFET is capable of fast switching with high power conversion efficiency. When predicting the behavior of the circuit, switching delay caused by the parasitic gate resistance included in the device is prominently appeared. This paper studies an extraction method of the parasitic gate resistance that affects the modeled switching behavior of SiC-MOSFET and evaluates the influence on the gate drive performance.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,447 Kバイト