IGBTを用いた高速スイッチング回路の提案

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC14018,MD14018

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換/【D】産業応用部門 モータドライブ合同研究会

発行日: 2014/01/24

タイトル(英語): Proposal of the High-Speed Switching Circuit use IGBTs

著者名: 神原 拓己(徳島大学),山中 建二(徳島大学),北條 昌秀(徳島大学)

著者名(英語): Takumi Kanbara(Tokushima University),Kenji Yamanaka(Tokushima University),Masahide Hojo(Tokushima University)

キーワード: ＩＧＢＴ|ＰＦＭ|高速スイッチング|高速ドライブ|デッドタイム|ハードスイッチング|IGBT|PFM|High-speed switching|High-speed drive|dead time|hard swtching

要約(日本語): IGBTは高耐圧，大電流に適しているため様々な所で用いられている。しかし，スイッチング周波数の上限が数十kHz程度であるため小型化に限界があった。本研究ではIGBTを用いた高速スイッチング動作についての検証を行う。_x000D_ 本稿では，IGBTの動作に注目して，高速スイッチングに有効な駆動方法とその回路を提案する。デッドタイムに注目したスイッチングを行い，その結果期待できる効果が得られたので報告する。

要約(英語): Because limit of the switching frequency of IGBT is number 10kHz, There was a limit to miniaturization._x000D_ We focus on the operation of the IGBT and We verified High-speed switching in the way that make use of dead time._x000D_ We report the drive method that is effective for high-speed switching and the circuit.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,688 Kバイト