IGBTのゲート電荷・ゲート電圧検出を用いた負荷短絡保護

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC14019,MD14019

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換/【D】産業応用部門 モータドライブ合同研究会

発行日: 2014/01/24

タイトル(英語): Load Short-Circuit Protection with Detecting the Gate Voltage and Gate Charge of an IGBT

著者名: 吉田 秀太郎(九州工業大学),濱田 航太(九州工業大学),長谷川 一徳(九州工業大学),大村 一郎(九州工業大学)

著者名(英語): Hidetaro Yoshida(Kyushu Institute of Technology),Kota Hamada(Kyushu Institute of Technology),Kazunori Hasegawa(Kyushu Institute of Technology),Ichiro Omura(Kyushu Institute of Technology)

要約(日本語): IGBTの性能向上及び小型化により、負荷短絡時の電流が増加し高速な保護が必要となってきている。本論文では、IGBTのゲート電荷とゲート電圧の両者をリアルタイムでモニタリングを行うことにより高速短絡保護を実現した。2組の高速AD変換回路とデジタル回路を用いてIGBT負荷短絡の高速保護システムを構築し、実証実験を行った。負荷短絡の判断速度は著しく向上し、従来のセンスIGBTによる方法と比べて短時間での保護が可能になる。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,215 Kバイト