SiC-MOSFETの電流センス機能を用いたデッドタイム制御回路の提案

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC14150,HCA14058,VT14045

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換/【D】産業応用部門 家電・民生/【D】産業応用部門 自動車合同研究会

発行日: 2014/12/18

タイトル(英語): New dead time control circuit using the current sensor of SiC-MOSFET

著者名: 丹羽 章雅(デンソー),今澤 孝則(デンソー),磯部 高範(筑波大学),只野 博(筑波大学),入江 将嗣(デンソー),山本 昌弘(デンソー),川原 英樹(デンソー),木村 友則(デンソー),笹谷 卓也(デンソー)

著者名(英語): Akimasa Niwa(DENSO Corporation),Takanori Imazawa(DENSO Corporation),Takanori Isobe(University of Tsukuba),Hiroshi Tadano(University of Tsukuba),Masashi Irie(DENSO Corporation),Masahiro Yamamoto(DENSO Corporation),Hideki Kawahara(DENSO Corporation),Tomonori Kimura(DENSO Corporation),Takanari Sasaya(DENSO Corporation)

キーワード: ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ|ドライブ回路|デッドタイム制御|同期整流|SiC-MOSFET|drive circuit|dead time control|synchronous rectification

要約(日本語): SiC-MOSFETの電流センス機能を用いた新しいデッドタイム制御回路を開発した。本方式は外付け部品レスにも関わらず、DTを0.1us以内にできることを示した。また、電流センス過渡現象の解析に基づき、回路とデバイスの設計方針を示したことで、誤動作の可能性を極めて低く設計できることを明らかにした。

要約(英語): This paper presents the development of new deadtime control circuit using the current sensor_x000D_ of SiC-MOSFET. Proposed method showed that dead time could been shortened within 0.1us without external electronic parts, and our method can drive SiC-MOSFET by a very low loss without SBD.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 3,183 Kバイト