高精度な電力変換回路設計用のSiC-MOSFET回路シミュレーションモデルの開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC15007,MD15007

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換/【D】産業応用部門 モータドライブ合同研究会

発行日: 2015/01/23

タイトル(英語): Development of A SiC-MOSFET Model for Designing Power Converters

著者名: 二宮 大(東京工業大学),西村 正(東京工業大学),藤田 英明(東京工業大学),赤木 泰文(東京工業大学),堀口 剛司(三菱電機),木ノ内 伸一(三菱電機),宮﨑 裕二(三菱電機)

著者名(英語): Dai Ninomiya(Tokyo Institute of Technology),Tadashi Nishimura(Tokyo Institute of Technology),Hideaki Fujita(Tokyo Institute of Technology),Hirofumi Akagi(Tokyo Institute of Technology),Takeshi Horiguchi(Mitsubishi Electric),Shinichi Kinouchi(Mitsubishi El

キーワード: ＳｉＣ|ＭＯＳＦＥＴ|デバイスモデル|回路シミュレーション|SiC|MOSFET|Device Modeling

要約(日本語): これまで、電力変換器の開発においてはSi-IGBTがパワーデバイスとして主流であった。しかし、Si-IGBTは特性限界に達しつつあり、近年では、より物性の優れたSiCを用いたMOSFETの適用に関する研究が進んでいる。_x000D_ 筆者らは、SiC-MOSFETの電力変換器への適用促進を目指した高精度デバイスモデル開発に取り組んでいる。本稿では、1200V/20A及び1200V/400Aの2種類のSiC-MOSFETについて、出力特性とスイッチング特性に基づいたモデリングと、精度の検証結果について述べる。

要約(英語): Up to these days, SiC-MOSFET became the mainstream for the power converters with high power density, temperature and switching frequency, and which has been developed. Hence the high accurate SIC-MOSFET model is_x000D_ required._x000D_ This paper presents a modeling of accurate and the simple circuit simulator model based on static and dynamic characteristics of 1200 V/20 A and 1200 V/400 A SiC-MOSFET.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,214 Kバイト