GaN-HEMTを用いた直流給電用コンセント・プラグの1 MHzスイッチングによる高電力密度化に関する検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC15016,MD15016

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換/【D】産業応用部門 モータドライブ合同研究会

発行日: 2015/01/23

タイトル(英語): High power density DC outlet and plug using GaN-HEMTs under 1 MHz switching operation.

著者名: 豊田 基(大阪大学),林 祐輔(大阪大学),伊瀬 敏史(大阪大学)

著者名(英語): Hajime Toyoda(Osaka University),Yusuke Hayashi(Osaka University),Toshifumi Ise(Osaka University)

キーワード: 直流給電|非接触給電|ＤＣ－ＤＣコンバータ|ＬＬＣ共振コンバータ|ＧａＮ－ＨＥＭＴ|DC power supply|Contactless|DC-DC converter|LLC resonant converter|GaN-HEMT

要約(日本語): 近年検討されている直流給電システムにおいて，直流電流遮断時に生じるアークや感電のリスクなど保護に関する課題が懸念されている。これらの課題を解決する方法として，非接触コンセント・プラグが提案されている。本研究では，非接触コンセント・プラグの高効率化・小型化のため，LLC共振コンバータの回路トポロジーの適用とGaN-HEMTによる1 MHzのスイッチング周波数を用いることを検討した。

要約(英語): DC power supply systems have been proposed and studied. There are some problems about risk of breaking-arc and electrical shock. Contactless DC outlet and plug are studied to solve these problems. This research has achieved high efficiency and miniaturization of outlet and plug by applying LLC resonant DC-DC converter topology with 1 MHz switching frequency by using Gallium Nitride (GaN) power transistors.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,256 Kバイト