MOSFETを対象とした非破壊短絡試験装置設計と実験検証

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC15019,MD15019

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換/【D】産業応用部門 モータドライブ合同研究会

発行日: 2015/01/23

タイトル(英語): Design and Experimental Verifications of Non-Destructive Test Circuit of Si-MOSFET for Short-Circuit Test

著者名: 平田 晃介(首都大学東京),和田 圭二(首都大学東京)

著者名(英語): Kosuke Hirata(Tokyo Metropolitan University ),Keiji Wada(Tokyo Metropolitan University )

キーワード: 短絡試験|ＭＯＳＦＥＴ|非破壊試験装置|Short-Circuit test|MOSFET|Non-Destructive experiment equipment

要約(日本語): パワーデバイスの信頼性向上は重要な課題である。課題の解決方法として，実際の回路動作維持における破壊過程を知ることが挙げられる。そのための装置として，非破壊試験装置の検討が行われ，パワーデバイスの短絡試験状況下での動作が報告されている。_x000D_ 本研究ではSi-MOSFETを対象に短絡試験装置の設計手法を明らかにして，さらに実験により非破壊で破壊直前の挙動を観測した。

要約(英語): Non-Destructive experiment equipment is used to observe behavior of_x000D_ just before breakdown of power devices without any destruction. The short_x000D_ circuit test directed at Si-MOSFET is conducted by using the equipment, and the behavior of just before destruction is observed. In order to prevent_x000D_ the destruction of the MOSFET, a design procedure of the test circuit should be discussed.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,053 Kバイト