SiC-MOSFETを対象としたコモンソースインダクタンス設計に向けた一検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC15140,MD15111

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換/【D】産業応用部門 モータドライブ合同研究会

発行日: 2015/08/28

タイトル(英語): Design for common source inductance of SiC-MOSFET

著者名: 林 真一郎(首都大学東京),和田 圭二(首都大学東京)

著者名(英語): Shinichiro Hayashi(Tokyo Metropolitan University),Keiji Wada(Tokyo Metropolitan University)

キーワード: コモンソースインダクタンス|サージ電圧|スイッチング損失|ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ|common source inductance|SiC-MOSFET|surge voltage|switching loss

要約(日本語): SiC-MOSFETは，高速なスイッチングが可能であることからスイッチング損失を低減できるという利点がある一方で，回路中に存在する配線の寄生インダクタンスによる影響がますます顕著になる。本研究では寄生インダクタンスによるサージ電圧，スイッチング損失，ターンオフ時共振電圧，スイッチング時の遅延時間への影響を評価することで，回路中の寄生インダクタンス最適設計に向けた一検討を行った。

要約(英語): This study discusses influences of common source inductance for power converter circuit. In order to improve the switching characteristics under turn-off operations, this study presents a design procedure for common source inductance In addition, the experimental results rated at 500 V, 40 A will be shown.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,576 Kバイト