SiCデバイス適用によるスイッチトリラクタンスモータ用駆動回路の損失に関する一検討－低速回転時の導通損失・スイッチング損失評価－

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: SPC15192,HCA15061,VT15032

グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換/【D】産業応用部門 家電・民生/【D】産業応用部門 自動車合同研究会

発行日: 2015/12/17

タイトル(英語): A study on loss of SiC converter for switched reluctance motor -Evaluation of Conduction and Switching loss in low-speed operation-

著者名: 舟木 剛(大阪大学),林 慧(大阪大学)

著者名(英語): Tsuyoshi Funaki(Graduate school of Engineering, Osaka UniversityOsaka University),Kei Hayashi(Graduate school of Engineering, Osaka University)

キーワード: スイッチトリラクタンスモータ（ＳＲモータ）|窒化ケイ素（ＳｉＣ）|スイッチング損失|導通損失|非対称ブリッジ回路|Switched reluctance motor(SR motor)|Sillicon carbide(SiC)|switching loss|conduction loss|asymmetric bridge circuit

要約(日本語): 本稿では、SiCデバイスの有用性の評価を目的とし、Si/SiCの両デバイスを用いてスイッチトリラクタンスモータ（SRモータ）駆動用の非対称ブリッジ回路を構成し、損失評価試験を行った。各デバイスの特性がモータ駆動時の回路内のパワーデバイスで発生する導通損失及びスイッチング損失にどのように影響するか実験的に評価・検討した結果を報告する。

要約(英語): This report studies loss evaluation of applied the Si/SiC device in asymmetric bridge circuit for switched reluctance motor driving.We validate loss reduction, which is one of SiC device’s advantage with comparing between Si device and SiC device conduction loss and switching loss.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,777 Kバイト